分子束蒸发源SOURCE-1250用于在超高真空中制备MBE生长的薄膜

分子束蒸发源SOURCE-1250用于在超高真空中制备MBE生长的薄膜 

分子束蒸发源SOURCE-1250特点简介：

分子束蒸发源，用于在超高真空中制备MBE生长的薄膜 

开放式蒸发源，它的设计是为了尽量减少分子束 辐射时的气体排放 

安装法兰盘：ICF070·114等

温度控制：通过PID控制Max1250

分子束蒸发源SOURCE-1250规格：

(1) 坩埚容量：约10cc（唇边约15mm x 57mm）

(2) 坩埚材料PBN

(3) 加热器 高纯度Ta线盘绕

(4) 侧面反射器 5层 高纯度Ta

(5) 加热元件支撑底座 高纯度Mo

(6) 热电偶Pr13

(7) 加热元件的外部形状为φ35X50mm

(8) 工作温度范围300°C至1250°C

(9) 百叶窗的开/关由微型法兰盘旋转导入机完成（标准手动：空气驱动是可选的）

(10) 安装法兰114CF (4.5 "CF)

(11) 加热电源 1KW直流电源，有电流和电压限制

(12) 温度控制器：PID控制方式RT~1800°C，控制精度0.1°C最大

(13) 最高烘烤温度：250°C（拆除电缆和空气驱动装置后）

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